| 专利名称 | 三维存储器及其制造方法 | 申请号 | CN201410404550.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104157654A | 公开（授权）日 | 2014.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明;靳磊 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 专利有效期 | 三维存储器及其制造方法 至三维存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种三维存储器制造方法，包括步骤：在衬底上形成第一材料层与第二材料层的堆叠结构；刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第一开孔；在每个第一开孔中形成填充层；在每个第一开孔周围，刻蚀堆叠结构露出衬底，形成垂直的多个第二开孔；在每个第二开孔中形成垂直的沟道层和漏极；选择性刻蚀去除填充层，重新露出第一开孔；侧向刻蚀部分或者完全去除第二材料层，留下凹槽；在凹槽中形成栅极堆叠结构；在每个第一开孔底部的衬底上和/或中形成共源极。依照本发明的三维存储器制造方法，将TCAT三维器件的字线深槽替换为深孔刻蚀来完成相同的功能，提高集成密度，简化堆叠结构的刻蚀工艺，保留了金属栅控制性能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障