| 专利名称 | 三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 | 申请号 | CN201310178564.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104153000A | 公开（授权）日 | 2014.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘锦峰;许桂生;杨丹凤;刘莹 | 主分类号 | C30B29/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/32(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;C30B11/14(2006.01)I | 专利有效期 | 三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 至三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法，其化学式为xPb(Mg1/3Nb2/3)O3-yBiAlO3-(1-x-y)PbTiO3，其中0 x 1，0 y 1，且x+y 1。生长方法为：步骤A)称取Bi2O3、MgO、Nb2O5、TiO2和Al2O3，在高温下预烧；步骤B)再与铅的氧化物混合并压块；步骤C)装入坩埚中并在500～1250℃下保温3～20h，继续升高温度至1340～1410℃，保温3～20h，使起始料全部熔化，以0.1～1.2mm/h速度下降逐渐结晶，界面温度梯度为20～100℃/cm；步骤D)生长完毕，以10～300℃/h速度冷却到室温。本发明的方法可根据需要生长不同取向、不同形状和不同尺寸的压电晶体，具有工艺设备简单、操作方便、一炉多产等优点，适合于工业规模化晶体的生长或生产。 |
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