| 专利名称 | 利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法 | 申请号 | CN201310178070.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104150910A | 公开（授权）日 | 2014.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 胡海龙;曾宇平;左开慧;夏咏锋;姚东旭;孙庆波 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法 至利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si3N4与SiC复相多孔陶瓷的方法，以多晶Si切割废料为原料，添加烧结助剂，机械球磨混合均匀成浆料；将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，降温至800℃，最后随炉冷却得到Si3N4与SiC复相多孔陶瓷。本发明的方法具有变废为宝，直接避免了提纯Si、PEG与SiC的繁杂工序，得到的复相多孔陶瓷具有空隙结构分布均匀、互连，收缩率低、抗弯强度高等特点，能够满足高温下使用过滤器，催化剂载体和热绝缘材料等领域的使用。 |
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