| 专利名称 | 基于EMCCD和CMOS的高动态星敏感器的实现方法 | 申请号 | CN201410367119.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104154932A | 公开（授权）日 | 2014.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 余达;周怀得;李广泽;刘金国;徐东;王国良;张博研 | 主分类号 | G01C25/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01C25/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于EMCCD和CMOS的高动态星敏感器的实现方法 至基于EMCCD和CMOS的高动态星敏感器的实现方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 基于EMCCD和CMOS的高动态星敏感器的实现方法，涉及一种星敏感器技术，解决现有技术采用ICCD高速获取星图，存在体积大、寿命短、功耗高等问题或者采用EMCCD来获取星图不能同时满足高分辨率和高帧频的问题，同时现有采用TDI的方式无法实现二维方式累加积分等问题，采用高分辨率高灵敏的CMOS探测器在大视场内获取多颗低星等的星图，降低星敏感器自带星库的星数量；针对高动态下运动速度过大导致星图像移模糊，利用CMOS四角的四片EMCCD倍增模式高速拍摄高星等图像提高获取运动矢量的几率，采用软件方式根据获取的运动矢量实现CMOS二维方向的TDI工作方式。本发明避免了单片获取像移的几率过低的问题。 |
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