| 专利名称 | 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 | 申请号 | CN201310178105.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104150940A | 公开（授权）日 | 2014.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 胡海龙;曾宇平;左开慧;夏咏锋;姚东旭;孙庆波 | 主分类号 | C04B38/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B38/00(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 至氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种Si3N4与SiC复相多孔陶瓷，其氮化率高于85%，孔隙率为30～60%。其制备方法为：①以Si和SiC为原料，添加烧结助剂，球磨混合均匀成浆料；②将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并经冷等静压处理形成素坯体；③将素坯体放置于烧结炉中，在高纯氮气气氛中，先升温至900～1200℃，再升温至1300～1500℃，然后进行氮化反应烧结，烧结完毕降温，最后随炉冷却。本发明的烧结方法具有烧结时间快、工艺简单、能耗低等特点，易得到净尺寸成型、复杂形状，孔隙率高、空隙可控、空隙结构定向互连的Si3N4/SiC复相多孔陶瓷材料，且成型简单，最高抗弯强度可达150MPa。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障