| 专利名称 | 等离子体薄膜沉积装置及沉积方法 | 申请号 | CN201410419057.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104152869A | 公开（授权）日 | 2014.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 叶继春;邬苏东;高平奇;杨映虎;韩灿 | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/44(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I | 专利有效期 | 等离子体薄膜沉积装置及沉积方法 至等离子体薄膜沉积装置及沉积方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种等离子体薄膜沉积装置及沉积方法，该装置包括腔体、供气系统、等离子体喷枪系统、抽真空系统、射频电源系统和压力控制系统，所述腔体中设置有样品台；所述等离子体喷枪系统与所述供气系统连通；所述抽真空系统与所述腔体连通；所述压力控制系统与所述腔体连通，在所述压力控制系统中设置有压力控制阀；所述压力控制系统控制所述腔体的压力为0.05kPa至10kPa。本发明的等离子体薄膜沉积装置将腔体的压力控制在0.05kPa至10kPa之间，能够实现薄膜的高效、快速、低温沉积。 |
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