| 专利名称 | 硅薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201410419021.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104152864A | 公开（授权）日 | 2014.11.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 邬苏东;叶继春;高平奇;杨映虎;韩灿 | 主分类号 | C23C16/24(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/24(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 硅薄膜的制备方法 至硅薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅薄膜的制备方法，使用中压等离子体设备制备硅薄膜，包括以下步骤：将衬底清洗后放入沉积腔室的样品台上；将所述沉积腔室抽真空；在等离子体喷枪的腔体中通入第一气体，所述第一气体在所述等离子体喷枪的腔体中生成等离子体；在所述等离子体喷枪的腔体中通入第二气体，所述第二气体在所述等离子体喷枪的腔体中分解为包含硅原子的气体粒子；所述硅原子在所述等离子体的携带下进入沉积腔室，并沉积在所述衬底上形成硅薄膜；在所述硅薄膜的沉积过程中，所述沉积腔室中的压力为0.1kPa～10kPa，且所述压力值恒定。上述方法可实现较低温度下硅薄膜的快速生长。 |
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