| 专利名称 | 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 | 申请号 | CN201410337785.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104141171A | 公开（授权）日 | 2014.11.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 赵丹梅;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平 | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B25/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 至一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的SixNy非晶层(12)；在未被SixNy非晶层覆盖的缓冲层(11)上形成GaN层(18)，使GaN在缓冲层(11)的小岛上成核生长，形成GaN复合薄膜；以及由此得到的一种在Si衬底上形成的GaN复合薄膜。本发明的在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法可以实现无裂纹、高质量的生长，从而得到高电阻、低位错的GaN复合薄膜。 |
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