| 专利名称 | Sr4Bi6Se13基超导材料及其制备方法 | 申请号 | CN201410362616.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104140083A | 公开（授权）日 | 2014.11.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强 | 主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/00(2006.01)I;C04B35/547(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)N | 专利有效期 | Sr4Bi6Se13基超导材料及其制备方法 至Sr4Bi6Se13基超导材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种Sr4Bi6Se13基超导材料及其制备方法，所述Sr4Bi6Se13基超导材料在Sr位具有空穴和/或掺杂第一掺杂元素A、和/或在Bi位富Bi和/或掺杂第二掺杂元素Sb、和/或在Se位具有空穴以使其具有超导电性，所述Sr4Bi6Se13基超导材料组成化学式为Sr4-xAaBi6+ySbbSe13-z。? |
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