| 专利名称 | 化合物硼酸钠镉晶体的生长方法 | 申请号 | CN201310166077.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104141170A | 公开（授权）日 | 2014.11.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 潘世烈;周琳 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B11/06(2006.01)I | 专利有效期 | 化合物硼酸钠镉晶体的生长方法 至化合物硼酸钠镉晶体的生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种化合物硼酸钠镉晶体的生长方法，该方法将硼酸钠镉化合物与助溶剂B2O3-R体系或Na2B4O7混合，加热，恒温，再冷却，得到含硼酸钠镉与助溶剂的混合熔液，将装在籽晶杆上的籽晶放入制备的混合熔体中，同时旋转籽晶杆，冷却，然后缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，降至室温，即得到化合物硼酸钠镉晶体。该方法生长速度快，成本低，可生长20mm×20mm×10mm与高光学质量的Na2Cd7B8O20晶体，通过本发明所述方法获得的晶体机械性能好，不易碎裂，不潮解，易加工。 |
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