| 专利名称 | 一种晶圆硅通孔结构及其制备方法 | 申请号 | CN201410232738.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104143544A | 公开（授权）日 | 2014.11.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明（设计）人 | 李宝霞 | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种晶圆硅通孔结构及其制备方法 至一种晶圆硅通孔结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于微电子技术领域，公开了一种晶圆硅通孔结构，所述晶圆硅通孔结构包括：通孔、正面钝化层、通孔钝化层、背面钝化层以及通孔钝化层外围的空腔；所述通孔开设在所述晶圆的硅衬底上；所述通孔内侧壁上设置通孔钝化层；所述正面钝化层与所述背面钝化层设置在所述硅衬底正面和背面；所述正面钝化层以及所述背面钝化层分别与所述通孔钝化层衔接；所述硅衬底内，所述通孔钝化层外围设置空腔。本发明通过在晶圆硅衬底上的通孔外设置空腔，降低由于通孔金属与硅材料热膨胀系数差异大造成的热应力效应；同时大大削弱通孔周围的电场密度，从而降低通孔的高频损耗。 |
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