| 专利名称 | 一种金属纳米叉指光栅的制备方法 | 申请号 | CN201310301646.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN104142530A | 公开(授权)日 | 2014.11.12 | 申请(专利权)人 | 中国科学院物理研究所 | 发明(设计)人 | 李俊杰;孙伟杰;李林;全保刚;夏晓翔;顾长志 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金属纳米叉指光栅的制备方法 至一种金属纳米叉指光栅的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金属纳米叉指光栅的制备方法,其包括以下步骤:步骤A:在清洗好的衬底基片上,采用镀膜设备生长一定厚度的金属膜;步骤B:对所述金属膜旋涂光刻胶,采用电子束光刻方法在光刻胶上制备叉指光栅;步骤C:采用离子束刻蚀方法将所述叉指光栅转移到金属膜上;步骤D:在热丙酮溶液中洗去金属膜和叉指光栅上的残胶,再使用微波等离子体去胶机去掉残留有机物。上述制备方法采用了电子束光刻和离子束刻蚀技术,能够实现纳米尺寸的结构加工,精确控制叉指型金属光栅的结构周期,有效的改变光栅的结构周期,缝宽及线宽;且通过本方法制备的叉指光栅,兼有纳米电极和纳米光栅的两种功能。 |
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