| 专利名称 | 高速率、定向发射的单光子源器件 | 申请号 | CN201420289204.7 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203932095U | 公开（授权）日 | 2014.11.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 魏红;李强;徐红星 | 主分类号 | H01L33/04(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/04(2010.01)I | 专利有效期 | 高速率、定向发射的单光子源器件 至高速率、定向发射的单光子源器件 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种高速率、定向发射的单光子源器件。包括：表面等离激元微腔结构，用于形成表面等离激元微腔；以及设置在表面等离激元微腔内单光子源；表面等离激元微腔结构包括一维金属纳米波导。通过将单光子源置于表面等离激元微腔内，由于表面等离激元微腔与单光子源的相互作用，可以将单光子源所发射出的单光子至少一部分转化为沿着一维金属纳米波导传导的表面等离激元，并最终在一维金属纳米波导的端部散射形成定向传播的单光子束流。采用本实用新型的装置，不仅实现了单光子的定向发射，提高了单光子的收集效率，同时由于表面等离激元的近场增强效应可以极大地增强单光子源感受到的电磁场强度，使得单光子发射速率得到了明显提高。 |
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