| 专利名称 | 新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件 | 申请号 | CN201410349844.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104134700A | 公开（授权）日 | 2014.11.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 梅增霞;叶大千;刘利书;梁会力;刘尧平;杜小龙 | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L31/113(2006.01)I | 专利有效期 | 新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件 至新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种新型薄膜晶体管及光电子器件和微电子器件。新型薄膜晶体管包括：栅极、源极以及漏极；衬底；栅绝缘层；布置在所述栅绝缘层上的MgxZn1-xO沟道层，其中0≤x≤1；其还包括：布置在所述MgxZn1-xO沟道层与所述源极之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层由绝缘材料形成。本发明的MgxZn1-xO新型薄膜晶体管，通过在沟道层和源极之间设置第二绝缘层作为势垒层，结合晶体管栅压的极性调控作用，改变了传统的晶体管特性，具有新颖的I-V特性，构成新颖的器件结构，可应用于不同的光电子和微电子器件领域。 |
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