| 专利名称 | 存储器件及其制造方法和存取方法 | 申请号 | CN201310160970.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104134668A | 公开（授权）日 | 2014.11.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑 | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 存储器件及其制造方法和存取方法 至存储器件及其制造方法和存取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种存储器件及其制造方法和存取方法。一示例存储器件可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；晶体管，包括：在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠与鳍相交；以及在背栅的底面和侧面上形成的背栅介质层，其中，在栅堆叠的一侧，背栅介质层在面对鳍的区域处具有减薄部分。 |
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