| 专利名称 | 抑制双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置及其调试方法 | 申请号 | CN201410379750.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104134596A | 公开（授权）日 | 2014.11.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 沈斌;丁耀根;顾红红;丁海兵;曹静 | 主分类号 | H01J23/213(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J23/213(2006.01)I | 专利有效期 | 抑制双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置及其调试方法 至抑制双间隙耦合腔2π模振荡的吸收腔装置及其调试方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种抑制双间隙耦合腔内2π模振荡的吸收腔装置。高吸收腔装置的双调谐吸收腔同时谐振于TM110模式和TM210模式，并通过耦合波导连接至双间隙耦合腔，能够有效地抑制双间隙耦合腔输出电路中具有2π模场形分布的两个非工作模式的振荡，消除由该类振荡引起的多注速调管的不稳定性，降低杂谱电平。 |
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