| 专利名称 | 一种氮化硅膜材料及其制备方法 | 申请号 | CN201410354051.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104120403A | 公开（授权）日 | 2014.10.29 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 宋志伟;褚卫国 | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 专利有效期 | 一种氮化硅膜材料及其制备方法 至一种氮化硅膜材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种硅氮化合物膜材料及其制备方法：将衬底置于高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体中，通入NH3气体和SiH4气体作为反应气体，通入氩气作为载体和保护气体，进行气相沉积，获得氮化硅膜材料；其中，控制高密度等离子体增强化学气相沉积设备腔体的工作温度为50～80℃，工作压力为3～5Pa，功率为390～460W；其中，所述气相沉积的时间为5～7min；所述SiH4气体与NH3气体的体积比为14～18，SiH4气体与氩气的体积比为0.5～5。本发明在四英寸硅基体上制备得到的硅氮化合物膜材料的厚度为107-110nm，薄膜不均匀性小于1.0％。 |
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