| 专利名称 | 一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法 | 申请号 | CN201410373870.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104124122A | 公开（授权）日 | 2014.10.29 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 李振军;和峰;白冰;杨晓霞;李驰;裘晓辉;戴庆 | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法 至一种利用类金刚石薄膜提高碳纳米管场发射性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种利用类金刚石薄膜(DLC)提高碳纳米管(CNT)场发射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC，从而提高CNT的场发射性能。DLC薄膜具有负的表面亲和势特性，可以改变CNT的表面性质，降低CNT场致发射的开启场强，提高CNT的场发射电流密度；DLC薄膜含有碳原子sp3杂化结构成分，具有较好的机械性能，在一定程度上能够对包裹的CNT起到保护作用，提高CNT场发射性能的稳定性；该方法可以生长整齐排列的直立CNT和DLC复合材料的阵列结构，并且可以通过调控生长参数获得理想的CNT和DLC复合材料，便于实际应用。 |
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