| 专利名称 | 双极性薄膜晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN201410376451.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104124281A | 公开（授权）日 | 2014.10.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 梁凌燕;曹鸿涛;罗浩;刘权;李秀霞;邓福岭 | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 双极性薄膜晶体管及其制备方法 至双极性薄膜晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种双极性薄膜晶体管及其制备方法，其中双极性薄膜晶体管包括衬底；位于衬底表面的栅电极和位于栅电极表面的栅介质层；位于栅介质层表面的氧化物沟道层；位于氧化物沟道层表面的源电极和漏电极；以及位于源电极和漏电极之间的氧化物沟道层表面的覆盖层。其中，覆盖层中的负电荷用于调节氧化物沟道层中的空穴浓度。其通过在氧化物沟道层表面沉积一层覆盖层，由覆盖层中的负电荷俘获氧化物沟道层中的自由空穴，达到调节氧化物沟道层中空穴浓度的目的，从而改善双极性薄膜晶体管的对称性。有效地解决了现有的磁控溅射沉积制备的底栅结构的双极性薄膜晶体管对称性较差的问题。 |
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