| 专利名称 | 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 | 申请号 | CN201410147977.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104112803A | 公开（授权）日 | 2014.10.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 项若飞;汪连山;赵桂娟;金东东;王建霞;李辉杰;张恒;冯玉霞;焦春美;魏鸿源;杨少延;王占国 | 主分类号 | H01L33/16(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/16(2010.01)I;H01L33/18(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 至半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法，其中发光二极管包括：一衬底，其表面具有周期排列的凸起图形；一氮化铝缓冲层沉积在凸起图形之间的间隔区内；一未掺杂半极性面氮化镓层，其制作在氮化铝缓冲层的上面，该未掺杂半极性面氮化镓层与衬底表面的凸起图形之间具有空隙区，可阻隔位错缺陷向上延伸；一半极性面氮化镓N型层，其制作在未掺杂半极性面氮化镓层上；一半极性面N型铟镓氮插入层，其制作在半极性面氮化镓N型层上；一半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层，其制作在半极性面N型铟镓氮插入层上；一半极性面P型铝镓氮电子阻挡层，其制作在半极性面铟镓氮/氮化镓多量子阱活性发光层上；一半极性面P型氮化镓层，其制作在半极性面P型铝镓氮电子阻挡层上。 |
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