| 专利名称 | 具有高膜基结合力的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201410350870.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104112562A | 公开（授权）日 | 2014.10.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 祁晓玉;王永;张健;杜娟;夏卫星;闫阿儒;刘平 | 主分类号 | H01F10/16(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F10/16(2006.01)I;H01F41/18(2006.01)I | 专利有效期 | 具有高膜基结合力的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法 至具有高膜基结合力的Sm-Co基永磁薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种具有高膜基结合力的Sm-Co基永磁薄膜，该Sm-Co基永磁薄膜与基体之间是缓冲层，该缓冲层是两层结构，一层是与位于基体表面的铜薄膜层，另一层是位于铜薄膜层表面的钨薄膜层，该缓冲层能够有效提高Sm-Co基永磁薄膜与基体的结合力。实验证实，具有该结构的Sm-Co基永磁薄膜在热处理过程中的热处理温度得到大幅度提高，能够从现有的600℃～800℃上升至900℃以上，甚至当热处理温度高达1000℃时仍与基体结合完好，未出现脱落现象。 |
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