| 专利名称 | 一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法 | 申请号 | CN201410151854.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104109785A | 公开（授权）日 | 2014.10.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明（设计）人 | 陈海燕;陈小源;王春林;林珊珊;赵玲;杨康;王会利 | 主分类号 | C22C23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C23/00(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;C22F1/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法 至一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料及其制备方法，所述Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料具有层状结构，其化学通式为Mg2SixSn1-xMy，其中，M表示为掺杂元素，选自Sb、Bi、Ga、Ag、Cu或Al中的一种，0.3≤x≤0.9，0.005≤y≤0.15；每一层结构都具有不同的Mg：Si：Sn原子摩尔含量比、以及不同的M掺杂浓度；每一层结构由Mg-Si-Sn基体以及弥散分布的与基体形成共格界面或半共格界面的Mg-Si-Sn纳米晶粒第二相组成。该Mg-Si-Sn基纳米复合热电材料因具有共格界面和调制掺杂结构，其晶格热导率低、热电性能好，可广泛应用于航天、国防以及汽车等领域。 |
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