| 专利名称 | 嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件 | 申请号 | CN201420145033.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203883004U | 公开（授权）日 | 2014.10.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 谢晶;袁永刚;李晓娟;王玲;王继强;马丁;刘伯路;李向阳 | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件 至嵌有环形栅MOSFET的抗辐射SCR静电防护器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种嵌有环形栅MOSFET的抗辐照SCR静电防护器件，本专利嵌入的环形栅MOSFET可用于6种不同结构的SCR静电防护器件。6种SCR静电防护器件结构，分别通过嵌入环形栅NMOS、环形栅PMOS、嵌入环形栅MOSFET同时增加P型阱区及N型深阱区来实现。环形栅的嵌入，相当于嵌入栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构，其触发电压接近栅接地NMOS或栅接高电位PMOS结构的触发电压，降低了触发电压，加快了开启速度。采用环形栅结构，增大了阴极到阳极的距离，阻断了NMOS器件边缘的漏电通路，因此提高了SCR器件维持电压和抗辐照能力。 |
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