| 专利名称 | FinFET及其制造方法 | 申请号 | CN201310119849.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104103517A | 公开（授权）日 | 2014.10.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;洪培真;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | FinFET及其制造方法 至FinFET及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种FinFET及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成鳍；在衬底上依次形成覆盖鳍的栅介质层和栅导体层；按照要形成的栅图案，对栅导体层进行刻蚀，其中刻蚀停止于大致与鳍的顶面相对应的位置；在刻蚀后的栅导体层的侧壁上形成第一侧墙；继续刻蚀栅导体层，以形成栅图案；以及在继续刻蚀后的栅导体层的侧壁上形成第二侧墙。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障