红外探测器及其制作方法

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专利名称 红外探测器及其制作方法 申请号 CN201310118672.8 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN104103697A 公开(授权)日 2014.10.15 申请(专利权)人 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 发明(设计)人 边历峰;任昕;杨晓杰;黄宏娟 主分类号 H01L31/0224(2006.01)I IPC主分类号 H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 专利有效期 红外探测器及其制作方法 至红外探测器及其制作方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明公开了一种红外探测器,包括半绝缘砷化镓单晶衬底以及依次形成于所述半绝缘砷化镓单晶衬底上的n+下电极接触层、暗电流阻挡层、量子点有源区、n+中间电极接触层和p+上电极接触层,所述的n+下电极接触层、n+中间电极接触层和p+上电极接触层上分别形成有下电极、中间电极和上电极,所述n+中间电极接触层的厚度小于空穴载流子的扩散长度。本发明还公开了一种红外探测器的制作方法和红外探测系统。本发明通过设置上电极接触层,利用差分放大电路互连,可以削弱、甚至消除可见光和高能粒子、射线照射引起的探测器噪声信号,不仅能够直接吸收正入射的红外辐射光子,而且具有抗可见光致盲和抗辐照功能。

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