| 专利名称 | 一种半导体材料BaFxZnAs及其制备方法 | 申请号 | CN201310119534.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104099664A | 公开（授权）日 | 2014.10.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈碧娟;邓正;靳常青 | 主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体材料BaFxZnAs及其制备方法 至一种半导体材料BaFxZnAs及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体材料，其化学式为BaFxZnAs，其中0.5≤x≤1.5。本发明还提供一种制备上述材料的方法，利用固相反应法，烧结前躯体，其中所述前躯体包括BaF2、Ba、Zn和As，前躯体中的各种物质的含量为使得各种元素的原子百分比含量满足Ba:F:Zn:As=1:x:1:1，其中烧结温度为600-1000℃。 |
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