| 专利名称 | 一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 | 申请号 | CN201410364075.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104098335A | 公开（授权）日 | 2014.10.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄政仁;梁汉琴;刘学建;姚秀敏 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 至一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法,所述高电阻率碳化硅陶瓷的组成包括1.54-3.08wt%的Al2O3、3.46-6.92wt%的Er2O3以及碳化硅，上述三种组成之和为100wt%；所述高电阻率碳化硅陶瓷含有晶化的碳化硅晶粒、包覆在晶化的碳化硅晶粒表面的非晶化碳化硅颗粒以及存在于晶化的碳化硅晶粒之间的晶界膜。? |
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