| 专利名称 | 采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法 | 申请号 | CN201410350073.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104098330A | 公开（授权）日 | 2014.10.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 毛朝梁;姚春华;曹菲;陈建和;王根水;董显林 | 主分类号 | C04B35/468(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/468(2006.01)I;C04B35/47(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法 至采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及采用后退火工艺制备高性能钛酸锶钡热释电陶瓷的方法，将经烧结得到的钛酸锶钡陶瓷在氧气气氛下退火，退火温度为800～1250℃，退火时间为2～5小时，即可制得高性能钛酸锶钡热释电陶瓷。本发明通过在烧结制得钛酸锶钡陶瓷后对其进行后退火处理，可以制得高性能的钛酸锶钡热释电陶瓷，其介电常数高，可以达到9500以上，热释电系数高，可以达到18×10-8C/cm2K以上，且样品纯度高、性能高、均匀性好，可满足制作非制冷红外焦平面器件的要求，有效地解决了BST陶瓷难以烧结至高致密度的问题。 |
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