| 专利名称 | 加热电极以及相变存储结构 | 申请号 | CN201420182126.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203871380U | 公开（授权）日 | 2014.10.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 程国胜;卫芬芬;孔涛;张杰;黄荣 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 加热电极以及相变存储结构 至加热电极以及相变存储结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种相变存储结构，包括相变材料层、上电极、下电极和加热电极，所述加热电极包括下加热电极以及连接在所述相变材料层和下加热电极之间的上加热电极，所述上加热电极的截面积小于所述下加热电极的截面积。本申请还公开了一种用于相变存储结构的加热电极。本实用新型的相变存储单元中，具有降低器件的功耗、提升良率的特点，满足相变存储器的应用需求。 |
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