| 专利名称 | 一种相变存储器加热电极及相变存储器 | 申请号 | CN201420162810.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203871379U | 公开（授权）日 | 2014.10.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孔涛;张杰;黄荣;卫芬芬;程国胜 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储器加热电极及相变存储器 至一种相变存储器加热电极及相变存储器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种相变存储器，具体地说是通过以纳米锥阵列为模板制备纳米阵列加热电极，从而减小加热电极的实际有效面积，减小加热电极与相变材料的接触面积，提高加热电流密度。从而就避免了直接制备纳米加热电极(100nm以下)的困难，降低制造成本，更重要的是降低了相变存储器的功耗。 |
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