| 专利名称 | 相变存储器存储单元结构 | 申请号 | CN201420161782.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203871378U | 公开（授权）日 | 2014.10.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孔涛;黄荣;张杰;卫芬芬;程国胜 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器存储单元结构 至相变存储器存储单元结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种相变存储器存储单元结构，包括相变材料层以及分别位于所述相变材料层两侧的下电极层和上电极层，所述上电极层包括阵列设置的且沿第一方向延伸的金属电极，所述下电极层为平行设置的纳米线阵列，所述纳米线阵列沿第二方向延伸，所述第一方向垂直于所述第二方向，所述相邻的金属电极之间设有绝热层。本实用新型通过引入纳米线制备技术达到降低加热电极尺寸的目的，从而可以降低器件读写电流；进一步地，在单根纳米线上面引入多根上电极，提高了相变存储器存储密度，很好地满足了相变存储器的应用需求。 |
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