| 专利名称 | 晶圆级半导体器件 | 申请号 | CN201420043692.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203871335U | 公开（授权）日 | 2014.10.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 蔡勇;张亦斌;徐飞 | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 晶圆级半导体器件 至晶圆级半导体器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种晶圆级半导体器件，包括晶圆级基片；形成于基片表面且并联设置的多个串联组，每一串联组包括串联设置的多个并联组，每一并联组包括并联设置的多个单胞，其中每一单胞均是由直接生长于所述基片表面的半导体层加工形成的独立功能单元；以及，导线，其至少电性连接于每一串联组中的两个选定并联组之间，用以使所有串联组的导通电压基本一致。本实用新型的器件结构简单，且其制程简单便捷、低成本，良品率高，适于规模化制造和应用。 |
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