| 专利名称 | 一种高密度碳纳米管阵列的制备方法 | 申请号 | CN201410250726.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104085875A | 公开（授权）日 | 2014.10.08 | 申请（专利权）人 | 华为技术有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 姚亚刚;李涛涛;徐焰;涂运骅 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种高密度碳纳米管阵列的制备方法 至一种高密度碳纳米管阵列的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高密度碳纳米管阵列的制备方法，包括：步骤101、在一基底的表面生长第一碳纳米管阵列；步骤102、对所述第一碳纳米管阵列进行蒸汽收缩处理，使所述第一碳纳米管阵列中碳纳米管之间的间隙变小而形成多个孔洞，以使的所述基底的部分表面从所述孔洞裸露出来；步骤103、在所述基底裸露出来的所述部分表面生长第二碳纳米管阵列；步骤104、重复步骤102和步骤103使所述碳纳米管阵列中的碳纳米管之间的间隙不断变小,以获得所述高密度碳纳米管阵列。采用本发明实施例所述的方法制得的碳纳米管阵列不仅密度大，而且密度分布均匀。 |
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