| 专利名称 | 化学机械抛光方法及芯片版图等效特征参数提取方法 | 申请号 | CN201410344708.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104077460A | 公开（授权）日 | 2014.10.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈岚;马天宇;孙艳 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I;G06F9/455(2006.01)I;G06F17/30(2006.01)I | 专利有效期 | 化学机械抛光方法及芯片版图等效特征参数提取方法 至化学机械抛光方法及芯片版图等效特征参数提取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种化学机械抛光方法及芯片版图等效特征参数提取方法，包括：将芯片版图划分成多个窗格，提取各个窗格的特征参数；以各个窗格的特征参数为索引，查询预设类型号，判断各个窗格的类型号，并将相同类型号的窗格定义为同一集群；对于芯片版图内任一窗格i，提取预设区域内与所述窗格i属于同一集群的其他窗格的特征参数，所述预设区域覆盖所述窗格i，且所述预设区域的面积大于所述窗格i的面积；利用所述窗格i的特征参数及所述预设区域内与所述窗格i属于同一集群的其他窗格的特征参数，计算所述窗格i的等效特征参数，提高了利用CMP模型对芯片表面形貌进行预测的方法的精度，提高集成电路的良率。 |
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