| 专利名称 | 一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法 | 申请号 | CN201410312619.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104071745A | 公开（授权）日 | 2014.10.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 杨勋;李铁;张啸;戴鹏飞;王跃林 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法 至一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种具有密贴悬空栅极的硅纳米线场效应管的制备方法，包括步骤：通过至上而下的工艺在（111）型硅片上制备出特定尺寸的硅纳米线,保留氮化硅掩膜层，并以此为绝缘层在其上制作栅极，同时在硅纳米线两端的体硅上通过离子注入制备漏极和源极，构成了基于硅纳米线的场效应管，由于硅纳米线整体贴在氮化硅薄层上，成品率得到很大提高。所制备的纳米线直径和长度可控，比表面积大，活性强，可作为气体传感器和生化传感器的敏感元件，具有广阔的应用前景。 |
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