| 专利名称 | 一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法 | 申请号 | CN201410307391.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104078335A | 公开（授权）日 | 2014.10.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王斌;于广辉;赵智德;徐伟;隋妍萍;张燕辉 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法 至一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。 |
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