| 专利名称 | 一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法 | 申请号 | CN201410293014.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104064557A | 公开（授权）日 | 2014.09.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明（设计）人 | 于中尧 | 主分类号 | H01L25/065(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L25/065(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I | 专利有效期 | 一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法 至一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种芯片背面裸露的重构晶圆结构及制造方法，所述结构包括第一芯片、第二芯片和再布线层，第一芯片和第二芯片设置在再布线层上，其中第一芯片和第二芯片距离再布线层具有第一距离；还包括第一限高块和第二限高块，第一限高块和第二限高块设置在再布线层上，其中第一限高块和第二限高块距离再布线层具有第二距离；其中，第一限高块和第二限高块之间分别布置第一芯片和第二芯片；再布线层、第一限高块、第二限高块、第一芯片、第二芯片构成了第一空间，且第一空间内填充树脂；其中，第二距离等于第一距离。本发明通过使用限高块而不必使用高精度塑封模具，具有大幅度降低封装制造和加工成本的技术效果。 |
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