| 专利名称 | 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 | 申请号 | CN201410276211.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104051623A | 公开（授权）日 | 2014.09.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 付英春;王晓峰;杨富华 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 至多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种多位高集成度垂直结构存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积第一电热隔离材料层；淀积第一电极材料层，淀积第二电热隔离材料层；淀积第二电极材料层，形成第二下电极；淀积第三电热隔离材料层；制作第三下电极；淀积第四电热隔离材料层；依次淀积存储材料层及第四电极材料层，淀积第五电热隔离材料层；淀积第五电极材料层；在第五电热隔离材料层开孔至上电极的上表面；淀积第六电极材料层，并去除第六掩模开槽并剥离形成三个第二测试电极。本发明对于快速实现小单元功耗及大单位面积集成度，与现有的CMOS工艺兼容，具有非常好的产业化应用前景。 |
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