| 专利名称 | 一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路及选通方法 | 申请号 | CN201410281186.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104051009A | 公开（授权）日 | 2014.09.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张锋 | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路及选通方法 至一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路及选通方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于存储器技术领域，公开了一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路，包括：行译码器、列译码器、第一数据选择器以及第二数据选择器；所述第二数据选择器连接控制信号；所述控制信号包括：写使能信号和读使能信号，用于选择存储器的工作模式，即读出或者写入；所述第二数据选择器分别与所述第一数据选择器以及所述RRAM的外围电路相连，用于数据的读出或者写入；其中，所述行译码器接收外部行选通地址信号，进行地址译码，并发送给RRAM的存储阵列，选通一行存储单元；所述列译码器接收外部列选通地址信号，进行地址译码，并发送给所述第一数据选择器，选通多列存储单元。本发明通过同时选通多个存储单元，提升存储单元的读写速度。 |
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