| 专利名称 | 一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法 | 申请号 | CN201410318509.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104045056A | 公开（授权）日 | 2014.09.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 发明（设计）人 | 褚衍彪;万里兮 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法 至一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法。包括：准备事先制备的纳米线；将所述纳米线悬浮在溶剂中，形成均匀的悬浊液；将所述悬浊液装入离心管；所述悬浊液进行高速离心沉淀，所有的纳米线沉淀在管底，形成有序堆积的纳米线沉淀；移除上清液，将有序堆积的纳米线沉淀进行烘干并从离心管管底剥离，完成制造有序堆积的纳米线膜/体。本发明提供的纳米线膜/体的制造方法不需要生长种子层就能获得致密的纳米材料，且不受材料和制备方法的限制。 |
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