| 专利名称 | 一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法 | 申请号 | CN201310081938.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104046984A | 公开（授权）日 | 2014.09.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘光辉;杨华;刘茜;魏钦华;周真真;卢琦 | 主分类号 | C23C26/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C26/00(2006.01)I;G21K4/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法 至一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜的方法，其包括如下步骤：a)对单晶硅片进行表面清洁和去氧化层预处理；b)采用化学刻蚀方法在经步骤a)预处理后的单晶硅片表面刻蚀出多孔；c)将步骤b)获得的表面刻蚀有多孔的单晶硅片置入CexLu1-x(NO3)3乙酸溶液中，在25～60℃下浸渍8～12小时后，干燥备用；其中，CexLu1-x(NO3)3中的x=0.001～0.040；d)将步骤c)得到的单晶硅片在惰性气氛中、于1000～1200℃下进行热处理2～4小时。本发明可实现以简单操作、低成本、大面积制备厚度可达30～60微米、且薄膜与衬底结合牢固的掺铈的焦硅酸镥闪烁薄膜，具有应用前景。 |
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