| 专利名称 | 一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法 | 申请号 | CN201410308999.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104049474A | 公开（授权）日 | 2014.09.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 冯金花;胡松;何渝;李艳丽 | 主分类号 | G03F7/207(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/207(2006.01)I | 专利有效期 | 一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法 至一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种叠栅条纹相位解析的纳米检焦方法，所述的方法在照明系统经扩束后由光纤引入光路，经过聚光镜均匀照明标记光栅，标记光栅经第一远心成像系统，再由棱镜成像在硅片表面，被反射后经过棱镜，第二远心成像系统；通过分光棱镜将光路分成两支，两支光路结构相同，每支光路都通过横向剪切板，平行平板形成干涉图样和目标像由检测光栅调制，经过检偏器，再由光电探测器和电路解调，硅片焦面位置的移动引起调制光强发生正弦变化，根据两支光路光强的正弦变化，求出标记光栅相位变化，确定标记光栅像的平移量，从而求出焦面位置的变化量。 |
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