| 专利名称 | 一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法 | 申请号 | CN201410259001.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104037101A | 公开（授权）日 | 2014.09.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘丹;陈昱;冯婧文;周松敏;曹菊英;林春;何高胤;胡晓宁 | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法 至一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于化学机械抛光工艺的铟柱制备方法，该方法是在焦平面器件上光刻铟孔并蒸发铟膜，利用具有弱腐蚀性的化学抛光液，通过化学机械抛光工艺制备铟柱。该种方法制备的铟柱具有高度一致性好、平整度高和致密等优点，能满足大面阵焦平面器件倒装互连的要求。本发明方法操作简单，便于在工艺上实现。 |
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