| 专利名称 | 一种次临界系统次临界度的测量方法 | 申请号 | CN201410281628.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104036834A | 公开（授权）日 | 2014.09.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 杨英坤;刘超;常博;曾勤;吴宜灿 | 主分类号 | G21C17/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G21C17/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种次临界系统次临界度的测量方法 至一种次临界系统次临界度的测量方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种次临界系统次临界度的测量方法。其包括：将至少两个相同的探测器均匀布置在受外源影响相同的对称位置；获取至少两个相同的探测器的探测器截面Σdet空间及能量分布；改变系统次临界度，测量预设组不同状态的“真实”次临界度；根据至少两个相同的探测器的探测器截面Σdet空间及能量分布,测量预设组不同状态的“测量”次临界度；根据预设组不同状态的“真实”次临界度与“测量”次临界度，得到“真实”与“测量”次临界度的对应关系；运行中，对任一当前状态，根据当前状态的“测量”次临界度和“真实”与“测量”次临界度的对应关系，获取当前的“真实”次临界度。本发明的技术方案对通量的畸变更不敏感，增强了测量的准确性。 |
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