| 专利名称 | 基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法 | 申请号 | CN201410258936.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104032375A | 公开（授权）日 | 2014.09.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 吕英飞;胡淑红;王洋;孙常鸿;邱锋;俞国林;戴宁 | 主分类号 | C30B29/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法 至基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法。该方法将熔源过程分为两次，第一次熔源将熔源材料In和InAs高温长时间充分熔融得到初始熔源，第二次熔源时加入InN粉末，通过优化InN粉末的放置方式，既增加了InN粉末在初始熔源中的溶解量及其分布的均匀性，又有效地缩短了第二次高温熔源时间，减小了氮元素的挥发量，最终获得了含氮量为0.66％的InAs1-xNx薄膜材料。该发明的优点是制备工艺简单，工艺成本低，得到的样品氮元素含量高，晶体缺陷少，晶体质量高。 |
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