| 专利名称 | 一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法 | 申请号 | CN201410314766.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104030360A | 公开（授权）日 | 2014.09.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王世革;陈航榕;施剑林;马明 | 主分类号 | C01G39/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G39/06(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法 至一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种MoS2纳米片的可控合成及同步表面修饰方法，所述方法包括：以四硫代钼酸铵为Mo源和S源，或者以钼酸铵为Mo源并以硫脲为S源，将其溶于水或者水和聚乙二醇的混合溶剂中，在200-220℃热处理12-18小时后，经分离、洗涤得到MoS2纳米片，其中控制Mo源和S源的种类、浓度和/或所用溶剂以控制所述MoS2纳米片的尺寸。 |
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