| 专利名称 | 相变存储结构 | 申请号 | CN201420155621.2 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203812919U | 公开（授权）日 | 2014.09.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孔涛;卫芬芬;黄荣;张杰;程国胜 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储结构 至相变存储结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种相变存储结构，包括：下电极层；形成于所述下电极层上的绝热层，所述绝热层的上开设有沟槽；相变材料层，覆盖于所述沟槽的内壁表面，且所述相变材料层围成一容纳空间；上电极，填充于所述容纳空间内；下加热电极，连接于所述下电极层和相变材料层的底部之间；侧加热电极，连接于所述相变材料层的外侧壁；顶电极，连接于所述侧加热电极。本实用新型的相变存储单元中，引入了侧加热电极，与传统具有单一的下加热电极相比，本实用新型能够有效提高器件的存储密度，满足相变存储器的应用需求。 |
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