| 专利名称 | 应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路 | 申请号 | CN201420060214.3 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203798736U | 公开（授权）日 | 2014.08.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 发明（设计）人 | 武晓东;陈忠祥;王策;马玉婷;裴智果;钟金凤;严心涛;吴云良 | 主分类号 | G01N21/64(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/64(2006.01)I;H01L31/107(2006.01)I | 专利有效期 | 应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路 至应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，包括控制信号单元、控制信号调理单元、无温漂放大单元、输出缓冲单元和反馈单元，控制信号经过控制信号调理单元进行信号调理，然后经过无温漂放大单元放大得到所需要的偏置电压值，再经过输出缓冲单元以及反馈单元控制输出的稳定性。本实用新型采用元器件之间的温度漂移系数相互耦合的办法，消除了以往高压偏置电路的电压随温度漂移的问题，具有高温度稳定性的高压输出，输出不随信号增大而下降等优点，满足APD工作时的高压偏置需求。 |
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