| 专利名称 | 表面多孔碳化硅材料及其制备方法 | 申请号 | CN201410258516.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104003751A | 公开（授权）日 | 2014.08.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 姚秀敏;黄政仁;刘学建;陈忠明 | 主分类号 | C04B38/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B38/02(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 表面多孔碳化硅材料及其制备方法 至表面多孔碳化硅材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种表面多孔碳化硅材料及其制备方法，所述方法包括：1）将碳化硅、烧结助剂混合均匀、干燥、过筛制得第一混合粉体；2）将碳化硅、烧结助剂、造孔剂混合均匀、干燥、过筛制得第二混合粉体；3）将所述第一混合粉体和第二混合粉体依次加入模具，干压、等静压成型制得表面多孔碳化硅材料的素坯；4）将所述素坯在600～900℃下热处理脱粘；以及5）将经脱粘处理的速配在真空或氩气条件下于1900-2200℃烧成。 |
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