| 专利名称 | 多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用 | 申请号 | CN201410218728.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN104003454A | 公开（授权）日 | 2014.08.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 宋卫国;窦智峰;曹昌燕 | 主分类号 | C01G51/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G51/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G01N33/00(2006.01)I | 专利有效期 | 多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用 至多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用。本发明提供的制备四氧化三钴纳米线的方法，包括如下步骤：将可溶性无机钴盐、无机氟盐、碱源与水混匀后进行水热反应，反应完毕后收集絮状沉淀进行煅烧，得到所述四氧化三钴纳米线。本发明提供的表面氟掺杂一维多孔氧化钴纳米线，具有结构新颖独特、原料适用性广、成本低、方法简单安全、易于工业化生产等优点。它可广泛的用于环境中易燃、易爆、有毒的一氧化碳气体的气敏监(检)测，具有广阔的应用空间。 |
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